Dysk SSD Samsung 990 EVO Plus 4TB M.2 PCI-E x4 NVMe 5.0×2

Samsung 990 EVO Plus 4TB – Nowa definicja wydajności i przestrzeni

Poznaj zaawansowany dysk SSD Samsung 990 EVO Plus o gigantycznej pojemności 4 TB, stworzony z myślą o najbardziej wymagających użytkownikach komputerów PC. Dzięki nowoczesnemu interfejsowi PCI Express 4.0 oraz pamięci V-NAND TLC, ten nośnik zapewnia bezkompromisową prędkość i niezawodność, przenosząc pracę z dużymi plikami i gaming na zupełnie nowy poziom.

Zainwestuj w markę Samsung i doświadcz błyskawicznego ładowania systemu, aplikacji oraz płynnego przesyłania danych. Zaawansowane technologie bezpieczeństwa, w tym 256-bitowe szyfrowanie AES, chronią Twoje cenne pliki, a wysoka kultura pracy gwarantuje stabilność w każdych warunkach.

Prędkość odczytu do 7150 MB/s

Dzięki zastosowaniu interfejsu PCI-E x4 NVMe, dysk Samsung osiąga imponujące prędkości odczytu na poziomie 7150 MB/s oraz zapisu do 6300 MB/s. To gwarancja natychmiastowego dostępu do danych i maksymalnej wydajności Twojego komputera.

Ogromna pojemność 4 TB

Zapomnij o braku miejsca na dysku. Przestrzeń 4 TB pozwala na zgromadzenie ogromnych bibliotek gier, materiałów wideo w wysokiej rozdzielczości oraz profesjonalnych projektów bez konieczności ciągłego usuwania danych.

Zaawansowana pamięć V-NAND TLC

Nowatorski typ pamięci V-NAND TLC zapewnia nie tylko wysoką gęstość zapisu i pojemność, ale także długowieczność nośnika. Średni okres międzyawaryjny (MTBF) na poziomie 1,5 miliona godzin potwierdza najwyższą jakość wykonania.

Wybitna wydajność losowa IOPS

Z wynikiem do 850 000 IOPS dla odczytu losowego i 1 350 000 IOPS dla zapisu, dysk radzi sobie perfekcyjnie z wielozadaniowością oraz intensywnymi operacjami na wielu małych plikach jednocześnie.

Bezpieczeństwo danych na najwyższym poziomie

Dysk oferuje sprzętowe szyfrowanie 256-bit AES, które skutecznie zabezpiecza Twoje poufne informacje przed nieautoryzowanym dostępem. Dodatkowo wsparcie dla technologii TRIM i S.M.A.R.T. dba o optymalną kondycję i żywotność nośnika.

• Imponująca pojemność 4 TB w kompaktowym formacie M.2 2280
• Prędkość odczytu do 7150 MB/s i zapisu do 6300 MB/s
• Nowoczesny interfejs PCI Express 4.0 oraz NVMe w wersji 2.0
• Niezawodne pamięci typu V-NAND TLC
• Wysoka wydajność losowa (do 1 350 000 IOPS)
• Zaawansowane 256-bitowe szyfrowanie sprzętowe AES
• Wsparcie dla technologii TRIM i monitorowania S.M.A.R.T.